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型號:
BLDL-1000型高溫熔融玻璃電導率測試裝置

描述:BLDL-1000型高溫熔融玻璃電導率測試裝置是一款專(zhuān)門(mén)應用于熔融玻璃電導率測量的,它是一種在高溫下測量玻璃熔體的電導率(電阻率)的裝置。熔體的電導率是用雙電極法測量的,是目前研究高溫熔融玻璃電導率的重要設備。

  • 廠(chǎng)商性質(zhì)

    生產(chǎn)廠(chǎng)家
  • 更新時(shí)間

    2024-08-27
  • 訪(fǎng)問(wèn)量

    547
詳細介紹
品牌JINGPIN/晶品產(chǎn)地類(lèi)別國產(chǎn)
應用領(lǐng)域電子,交通,冶金,航天,電氣

BLDL-1000型高溫熔融玻璃電導率測試裝置

     

高溫介電.png


前沿:

玻璃表面電阻率和體積電阻率:

  此式在玻璃高黏度區(107~1013Pa·s)或低黏度區(《103Pa·s)是正確的,但兩者有不同的常數n。 而在中間區,指數n是變化的.電介質(zhì)的溫度穩定性以比電阻等于100M0.cm,即1080·cm 的溫度TK-100表征。

在分析固態(tài)玻璃的電性質(zhì)時(shí),除體積電導率外,還必須考慮表面電導率。D在玻璃表面存在水化膜、低于100~120"C的溫度范圍內;

2.在玻璃表層可與周?chē)鷼怏w介質(zhì)進(jìn)行氧化-還原反應的條件下; 

3.在玻璃制品表面有人為的半導體膜、絕緣膜及透光膜的情況下,表面電導率較大,甚至有舉足輕重的作用。表面比電導率x和表面比電阻率o.是指邊長(cháng)1cm的正方表面上的電導率(電阻率)。

當溫度低于100'C時(shí),潮濕空氣中,玻璃的表面電導率比體積電導率大得多.表面電導率主要取決于玻璃的組成、空氣的濕度和溫度。 溫度和濕度增加,表面電阻率增加。

 玻璃的表面狀態(tài)對表面電導率影響很大。玻璃表面涂層是改變玻璃表面電導率的方法。 如采用涂覆憎水層(如有機硅化合物、石蠟等)可降低玻璃表面導電性; 表面涂覆具有半導體性質(zhì)的氧化物或金屬薄膜可增加玻璃表面電導性。

如果不特別說(shuō)明,下面討論的是體積電性質(zhì)。關(guān)于玻璃的導電機理,可從過(guò)程的活化能值推斷?;罨躑。(見(jiàn)式p=A,e)玻璃體積電阻率p及電流傳導機理之間存在統計平均關(guān)系,即在P200c和T平衡條件中,氧化物玻璃發(fā)生電子導電的活化能值比陽(yáng)離子導電時(shí)小。

圖4-6示出陽(yáng)離子導電區和電子導電區的統計平均界線(xiàn)。 硫屬化物玻璃和氟化物玻璃不存在這種界線(xiàn)。玻璃的電導率與其化學(xué)組成、溫度及熱力史有關(guān)。堿金屬氧化物對玻璃電導率影響特別顯著(zhù),存在混合堿效應。 

 引人少量Al2O3時(shí),形成[AlO4],電阻率降低,較多引入時(shí),形成[AIOs],電阻率升高.當B203為[BO4]時(shí),電阻率升高,當B203為[BO3]時(shí),電阻率降低,高場(chǎng)強,高配位的離子如Y3+,La3+等填充在網(wǎng)絡(luò )空隙中,阻礙了金屬離子的移動(dòng),使電導率降低.電導率隨溫度的升高而增加,Tg以下,玻璃的結構相對穩定,可用下式表示:lgK=A-B/T(4-32)Tg~T.以上,玻璃結構的質(zhì)點(diǎn)發(fā)生了重排,離子的電導活化能不再保持常數,上式不再適用.T以上,可用下株式表示:B1lgk=A1-元e(4-33)A1,B1,a1是與玻璃組成有關(guān)的常數。

在電真空工業(yè)中,常用TK-100(即電阻率為100M·cm時(shí)所需溫度)來(lái)衡量玻璃的電絕緣性.TK-100越高,玻璃的電絕緣性越好。熱處理對玻璃的電導率有很大的影響,離子導電的玻璃經(jīng)淬火后其電導率較退火玻璃高,玻璃微晶化后能大大提高其電絕緣性,提高程度與析出晶相的種類(lèi)及玻璃相的組成有關(guān)。

 此外,分相也會(huì )影響玻璃的電導率,但不同的分相結構,影響也不同。

 

BLDL-1000型高溫熔融玻璃電導率測試裝置是一款專(zhuān)門(mén)應用于熔融玻璃電導率測量的,它是一種在高溫下測量玻璃熔體的電導率(電阻率)的裝置。熔體的電導率是用雙電極法測量的,是目前研究高溫熔融玻璃電導率的重要設備。

二、儀器特點(diǎn)

1、多功能真空加熱爐,可實(shí)現高溫、真空、氣氛環(huán)境下進(jìn)行測試

2、采用鉑材料作為導線(xiàn)、以減少信號衰減、提高測試精度

3、可以測量玻璃材料的電阻、電阻率

一、應用說(shuō)明:

符合:符合GB/T31838、1410等

二、主要技術(shù)參數:

1、溫度:常溫--1400℃

2、電阻測量范圍:10^4Ω~10^16Ω

3、電阻測量精度: 當電阻≤1010Ω,電阻精度在2%以?xún)?,當電阻?010Ω,電阻精度在10%以?xún)壬郎厮俾?-10°C/min,典型值3°C/min

4、電極尺寸:25mm,38mm,50mm,樣品厚度2mm

5、電壓: 0~1000V

6、電極:三環(huán)電溫

7、控溫精度:±1°C

8、高溫環(huán)境:密封測試環(huán)境,N2氣氛,氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)、氡(Rn),均為無(wú)色、無(wú)臭、氣態(tài)的單原子分子(自備)

9、設置有排氣口,排氣口添加過(guò)濾裝置(如活性炭等)

10、軟件功能:可連續升溫測試,直接得到體積電阻率、表面電阻率隨溫度變化的曲線(xiàn)

11、溫控功能:可分段升溫測試,在某一溫度點(diǎn)設置持續時(shí)間,直接得到體積電阻率、表面電阻率隨時(shí)間變化的曲線(xiàn)

12、供電:220V±10%,50Hz
13、工作溫度:5℃ 至 + 40 ℃;
14、設備尺寸: L360mm*W370mm*H510mm (以實(shí)際為準)
15、重量:30kg

 

 


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