SCD-1500型半導體C-V特性分析儀

關(guān)鍵詞：半導體，C-V特性，集成電路

SCD-1500型半導體C-V特性分析儀創(chuàng )新性地采用了雙CPU架構、Linux底層系統、10.1英寸電容式觸摸屏、中英文操作界面、內置使用說(shuō)明及幫助等新一代技術(shù)，適用于生產(chǎn)線(xiàn)快速分選、自動(dòng)化集成測試及滿(mǎn)足實(shí)驗室研發(fā)及分析。半導體C-V特性分析儀測試頻率為10kHz-2MHz，VGS電壓可達±40V，足以滿(mǎn)足二極管、三極管、MOS管及IGBT等半導體件CV特性測試分析。

一、主要應用范圍：

半導體元件/功率元件
二極管、三極管、MOSFET、IGBT、晶閘管、集成電路、光電子芯片等寄生電容測試、C-V特性分析

半導體材料
晶圓、C-V特性分析

液晶材料
彈性常數分析

二、性能特點(diǎn)：

通道：2（可擴展至6）

高偏置：VGS：0 - ±40V，VDS：0–200V,1500V,3000V

雙CPU架構，最短積分時(shí)間0.56ms（1800次/秒）

10.1英寸電容式觸摸屏，分辨率1280*800，Linux系統

點(diǎn)測、列表掃描、圖形掃描(選件)三種測試方式

四寄生參數（Ciss、Coss、Crss、Rg）同屏顯示

快速導通測試Cont

一體化設計：LCR+高壓源+繼電器矩陣

快速充電，縮短電容充電時(shí)間，實(shí)現快速測試

自動(dòng)延時(shí)設置

10檔分選

三、功能特點(diǎn)

A.單點(diǎn)測試，10.1英寸大屏，四種寄生參數同屏顯示，讓細節一覽無(wú)遺

10.1英寸觸摸屏、1280*800分辨率，Linux系統、中英文操作界面，支持鍵盤(pán)、鼠標、LAN接口，帶來(lái)了無(wú)以倫比的操作便捷性。

MOSFET最重要的四個(gè)寄生參數：Ciss、Coss、Crss、Rg在同一個(gè)界面直接顯示測量結果，并將四個(gè)參數測試等效電路圖同時(shí)顯示，一目了然。

多至6個(gè)通道測量參數可快速調用，分選結果在同一界面直接顯示。

B.列表測試，靈活組合

SCD-1500型半導體C-V特性分析儀支持最多6個(gè)通道、4個(gè)測量參數的測試及分析，列表掃描模式支持不同通道、不同參數、不同測量條件任意組合，并可設置極限范圍，并顯示測量結果 。

C.曲線(xiàn)掃描功能（選件）

SCD-1500型半導體C-V特性分析儀支持C-V特性曲線(xiàn)分析，可以對數、線(xiàn)性?xún)煞N方式實(shí)現曲線(xiàn)掃描，可同時(shí)顯示多條曲線(xiàn)：同一參數、不同Vg的多條曲線(xiàn)；同一Vg、不同參數多條曲線(xiàn) 。

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C.曲線(xiàn)掃描功能（選件）

SCD-1500型半導體C-V特性分析儀支持C-V特性曲線(xiàn)分析，可以對數、線(xiàn)性?xún)煞N方式實(shí)現曲線(xiàn)掃描，可同時(shí)顯示多條曲線(xiàn)：同一參數、不同Vg的多條曲線(xiàn)；同一Vg、不同參數多條曲線(xiàn) 。

D.簡(jiǎn)單快捷設置

E.10檔分選及可編程HANDLER接口

儀器提供了10檔分選，為客戶(hù)產(chǎn)品質(zhì)量分級提供了可能，分選結果直接輸出至HANDLER接口。

在與自動(dòng)化設備連接時(shí)，怎么配置HANDLER接口輸出，一直是自動(dòng)化客戶(hù)的難題，TH510系列將HANDLER接口腳位、輸入輸出方式、對應信號、應答方式等可視化，讓自動(dòng)化連接更簡(jiǎn)單。

F.支持定制化，智能固件升級方式

SCD-1500型半導體C-V特性分析儀客戶(hù)而言是開(kāi)放的，儀器所有接口、指令集均為開(kāi)放設計，客戶(hù)可自行編程集成或進(jìn)行功能定制，定制功能若無(wú)硬件更改，可直接通過(guò)固件升級方式更新。

儀器本身功能完善、BUG解決、功能升級等，都可以通過(guò)升級固件(Firmware)來(lái)進(jìn)行更新，而無(wú)需返廠(chǎng)進(jìn)行。

固件升級非常智能，可以通過(guò)系統設置界面或者文件管理界面進(jìn)行，智能搜索儀器內存、外接優(yōu)盤(pán)甚至是局域網(wǎng)內升級包，并自動(dòng)進(jìn)行升級

G.半導體元件寄生電容知識

在高頻電路中，半導體器件的寄生電容往往會(huì )影響半導體的動(dòng)態(tài)特性，所以在設計半導體元件時(shí)需要考慮下列因數在高頻電路設計中往往需要考慮二極管結電容帶來(lái)的影響；MOS管的寄生電容會(huì )影響管子的動(dòng)作時(shí)間、驅動(dòng)能力和開(kāi)關(guān)損耗等多方面特性；寄生電容的電壓依賴(lài)性在電路設計中也是至關(guān)重要，以MOSFET為例。

技術(shù)參數

1、通道：2通道（可擴展6通道）

2、顯示：液晶顯示，觸摸屏

3、 測量參數：C、L、X、B、R、G、D、Q、ESR、Rp、θ、|Z|、|Y|

4、測試頻率：10kHz-2MHz

5、 精度：0.01%

6、分辨率：10mHz  1.00000kHz-9.99999kHz

7、電壓范圍：5mVrms-2Vrms

8、精度：±（10%×設定值+2mV）

9、 VGS電壓： ±40V，準確度：1%×設定電壓+8Mv,分辨率;1mV(0V-±10V)

10、 VDS電壓：0 - 200V

11、精度：1%×設定電壓+100mV

12、 1%×設定電壓+100mV

13、輸出阻抗：100Ω，±2%@1kHz

14、軟件：C-V特性曲線(xiàn)分析，對數、線(xiàn)性?xún)煞N方式實(shí)現曲線(xiàn)掃描