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HTR-4立式4寸快速退火爐(芯片熱處理設備)廣泛應用在IC晶圓、LED晶圓、MEMS、化合物半導體和功率器件等多種芯片產(chǎn)品的生產(chǎn),和歐姆接觸快速合金、離子注入退火、氧化物生長(cháng)、消除應力和致密化等工藝當中,通過(guò)快速熱處理以改善晶體結構和光電性能,技術(shù)指標高、工藝復雜、專(zhuān)用性強。
HTR-01A快速退火爐系列采用紅外輻射加熱技術(shù),可實(shí)現1-10片樣品同時(shí)進(jìn)行,可實(shí)現4寸晶圓片吋樣品快速升溫和降溫,同時(shí)搭配超高精度溫度控制系統,可達到的溫場(chǎng)均勻性,對材料的快速熱處理(RTP)、快速退火(RTA)、快速熱氮化(RTN)、快速熱氧化(RTO)及金屬合金化等研究和生產(chǎn)起到重要作用。 主要應用領(lǐng)域: 快速熱處理(RTP),快速退火(RTA),快速熱氧化(RTO),快速熱氮化(RT