GWST-1000型高溫四探針綜合測試系統（包含薄膜，塊體功能）

關(guān)鍵詞：四探針，電阻，方阻

GWST-1000型高溫四探針綜合測試系統（包含薄膜，塊體功能）是為了更方便的研究在高溫條件下的半導體的導電性能，該系統可以*實(shí)現在高溫、真空及惰性氣氛條件下測量硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率和外延層、擴散層和離子層的方塊電阻及測量其他方塊電阻。

二、符合：

1、符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、

2、符合GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針?lè )ā?/span>

3、符合美國 A.S.T.M 標準

二、產(chǎn)品應用：

1、測試硅類(lèi)半導體、金屬、導電塑料類(lèi)等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻；

2、可測柔性材料導電薄膜電阻率/方阻

3、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導電膜（ITO膜）電阻率/方阻

4、納米涂層等半導體材料的電阻率/方阻

5、電阻器體電阻、金屬導體的低、中值電阻以及開(kāi)關(guān)類(lèi)接觸電阻進(jìn)行測量

6、可測試電池極片等箔上涂層電阻率方阻

三、主要技術(shù)參數

溫度范圍：RT-1000℃
升溫斜率：0-10℃/min (典型值：3℃/min)
控溫精度：±0.1℃
電阻測量范圍：0.1mΩ~1MΩ
電阻率測量范圍：100nΩ..cm~100KΩ .cm
測量環(huán)境：惰性氣氛、還原氣氛、真空氣氛
測量方法：四線(xiàn)電阻法，探針?lè )?br />測試通道：?jiǎn)瓮ǖ阑蚴请p通道
樣品尺寸：10mmx10mmX20mm或φ＜20mm ,d＜5mm
電極材料：鉑銥合金電極（耐高溫，抗氧化）
絕緣材料：99氧化鋁陶瓷
數據存儲格式：自動(dòng)分析數據，可以分類(lèi)保存，樣品和測量方案結合在一起，生成系統所需的實(shí)驗方案，輸出TXT、XLS、BMP等格式文件

數據傳輸：USB
符合標準：ASTM
供電：220V±10%，50Hz
工作溫度：5℃ 至 + 40 ℃；

工作濕度：+40 ℃ 時(shí)，相對濕度高達 95%（無(wú)冷凝）
設備尺寸： L360mm*W370mm*H510mm
重量：22kg